学歴
1998年3月 青山学院大学 理工学部 電気電子工学科 卒業
2000年3月 青山学院大学大学院 理工学研究科 電気電子工学専攻 博士前期課程 修了
2004年3月 早稲田大学大学院 博士（工学）
学位
博士（工学）
現在までの経歴
2002年4月～2006年9月 早稲田大学 理工学部 助手及び客員研究助手 （至 2006年9月）
2006年10月～2007年9月 NTT物性科学基礎研究所 リサーチアソシエイト
2007年10月～2022年8月 NTT物性科学基礎研究所 研究員
2022年9月～2026年3月 NTT先端技術総合研究所 企画部 担当課長
これまでにない手法を使って、化合物半導体の結晶成長を行い、新しい機能を持った半導体デバイス開発を目指します。具体的には、宇宙空間よりもはるかに高真空の中で、～1000度に昇温した基板に材料を供給し、結晶の薄膜をつくることを目指します。また、そこで得られた結晶を微細加工し、電子デバイスを作製します。
半導体デバイスを研究開発する上で、高純度なシリコンやGaAs等を取り扱う場合、高価な大型装置やクリーンルームを必要とすることが多いです。
しかし新材料の研究開発では、自分達の手で改造した実験装置を使って、大学の研究室から国際的に注目を浴びるような成果が飛び出すことがあります。時間がかかる研究テーマですが、学生のみなさんと一緒に、世界が驚くような結晶やデバイスの実現を目指していきたいです。